2023年8月7日，苏州锴威特半导体股份有限公司(股票简称：锴威特，股票代码：688693)进行了网上路演。锴威特董事长丁国华;锴威特董事、总经理罗寅;锴威特董事会秘书严泓;锴威特财务总监刘娟娟;华泰联合证券投资银行业务线总监、保荐代表人薛峰;华泰联合证券投资银行业务线执行总经理、保荐代表人牟晶等嘉宾参加了此次路演，与网上投资者进行了密切交流。

　　锴威特本次发行股份数量为1,842.1053万股，发行价格为40.83元/股，预计募集资金总额为7.52亿元，将用于智能功率半导体研发升级项目、SiC功率器件研发升级项目、功率半导体研发工程中心升级项目、补充营运资金。

　　据悉，锴威特主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，主要产品包含功率器件及功率IC两大类。凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，公司迅速在细分领域打开市场，产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域。

网上路演推介致辞

　　锴威特董事长丁国华网上路演推介致辞

　　尊敬的各位投资者朋友：

　　大家好!

　　非常感谢大家参与苏州锴威特半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市网上路演活动。在此，我谨代表锴威特向参加本次活动的各位投资者朋友表示热烈的欢迎，也向多年来一直关心、支持锴威特发展的各位领导和各界友人表示衷心感谢!我们希望，通过此次网上交流活动，充分客观地解答各位投资者所关心的问题，让大家更加全面地了解锴威特。同时，也非常感谢上证路演中心和中国证券网为我们提供这次与投资者网上交流沟通的机会!

　　锴威特的主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务，公司的主要产品包含功率器件及功率IC两大类。在功率器件方面，公司产品以高压平面MOSFET为主，并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品;在功率IC方面，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。此外，在第三代半导体方面，公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。

　　公司通过自主积累的核心技术和工艺诀窍，在超高压平面MOSFET方面已取得深厚技术积累。公司超高压平面MOSFET产品最高耐压已达1700V，该耐压水平在国内同行业厂商中处于领先水平，体现出公司在超高压MOSFET方面已具备较强技术水平及市场竞争力。与此同时，在功率IC方面，部分客户向公司采购的功率IC产品目前没有其他国内供应商可以替代，公司在高可靠领域已取得一定的市场地位。

　　未来，公司将坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，助力高性能功率器件、功率IC的国产化替代以及自主可控。将公司打造成高品质功率器件及智能功率IC的优秀供应商。

　　我们希望通过本次交流活动，圆满解答投资者朋友所关心的问题，让大家更加了解和认同锴威特。同时，也希望在公司迈入资本市场后，能够得到各位更多的关注和大力的支持!最后欢迎大家踊跃提问，谢谢!

　　华泰联合投资银行业务线执行总经理、保荐代表人牟晶网上路演推介致辞

　　尊敬的各位嘉宾，投资者朋友们：

　　大家好!

　　作为本次发行的签字保荐代表人，我谨代表华泰联合证券有限责任公司对今天参加苏州锴威特半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市网上路演推介会的广大投资者和各界朋友们表示热烈的欢迎!

　　锴威特的主营业务是功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。锴威特是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业，自设立以来，坚持以“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展理念，采取“功率器件 功率IC”双轮驱动的发展路线，积极布局高可靠、工控等领域，努力实现功率半导体核心芯片的国产替代和自主可控，相关领域收入快速增长，已形成较为完善且具备较强抗风险能力的业务结构。

　　作为锴威特科创板IPO的保荐机构，我们很荣幸能有机会向大家推荐锴威特。我们相信，锴威特在科创板上市后，将积极扩大在高可靠、工控等领域的销售规模，提升市场占有率，力争成为技术专精、产品结构合理、具有自主品牌影响力的高品质功率器件半导体供应商，并为广大投资者带来丰厚回报!

　　最后，预祝锴威特首次公开发行股票并在科创板上市网上路演推介圆满成功!谢谢大家!

网上路演交流互动问答

　　【网上路演交流内容剪辑】

　　问 投资者：您好，请介绍下公司的市场地位?

　　答 锴威特丁国华：

　　公司凭借高性能的产品积累了众多业内知名的芯片设计公司客户，产品已被众多终端客户所采用。在细分领域，公司的产品性能参数处于业内先进水平，具有较强的市场竞争力。

　　结合Omdia数据，以公司2020年MOSFET产品销售额测算，公司全球MOSFET市场的市场份额约为0.23%;结合芯谋研究和Omdia数据测算，公司2021年平面MOSFET国内市场占有率约为1.26%。根据江苏省半导体行业协会统计，以销售额计算，2021年公司FRMOS市场份额位列本土企业第四位(前三位分别为华润微、士兰微、华微电子);SiC功率器件方面，公司是国内为数不多的具备650V-1700V SiC MOSFET设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。

　　公司通过自主积累的核心技术和工艺诀窍，在超高压平面MOSFET方面已取得深厚技术积累。公司研制推出的1500V超高压MOSFET产品“CS4N150”荣获第十二届(2017年度)中国半导体创新产品和技术奖，是当年“分立器件”类别八个获奖产品之一，也是唯一获奖的平面MOSFET产品，该产品2022年已形成批量销售;公司独立承接了超高压FRMOS的国家级研发项目，超高压MOSFET领域的技术研发实力得到权威部门认可;公司超高压平面MOSFET最高耐压已达1700V，根据同行业可比公司官网公示产品信息比较，该耐压水平在国内同行业厂商中处于领先水平，体现出公司在超高压MOSFET方面已具备较强技术水平及市场竞争力。

　　功率IC方面，2020年至2022年，公司功率IC产品已向多家高可靠领域客户形成销售，部分客户向公司采购的功率IC产品目前没有其他国内供应商可以替代，公司在高可靠领域已取得一定的市场地位。

　　谢谢!

　　问 投资者：您好，请问公司封装成品采用经销模式销售的原因是什么?

　　答 锴威特罗寅：

　　(1)有利于扩大销售覆盖范围和品牌知名度的提升

　　公司的产品广泛应用于以LED照明、适配器、智能家电为代表的消费电子领域，以及以工业电源、安防设备、电机驱动为代表的工业控制领域，上述应用领域的客户多且分散，对新供应商导入验证时间长，公司通过经销模式能够快速导入客户，扩大销售网络的覆盖范围，也有助于提升品牌知名度。

　　(2)有利于加快资金周转降低货款回款风险

　　终端客户通常对供应商的付款账期较长，而经销商与终端客户已建立稳定的合作关系，经销商已完成前期与终端客户合作的流动资金铺垫。在上述背景下，公司与经销商合作，双方约定了明确的合作规则与付款条件，因此，采用经销模式有利于公司加快资金周转及降低货款回款风险。

　　(3)有利于优化公司人员配置，专注于持续创新

　　销售封装成品需要面对大量的终端客户，开拓前期需要投入较多的人员来构建销售渠道及前期的应用支持。而在经销模式下，经销商能够承担起产品推广、渠道铺设、客户开发和维护的职能，公司只需要适量人员对经销商进行管控并给予其指导和支持，从而使得公司可以专注于产品研发和技术创新，提升运营效率。

　　谢谢!

　　问 投资者：您好，可以请您谈谈公司研发流程中的工程试制阶段的内容吗?

　　答 锴威特丁国华：

　　制版：功率器件类产品和IC类产品设计开发完成之后，项目负责人将制版需求发送至运营部，同时将设计的GDS文件发送工艺线指定的掩膜工厂，运营部安排订单、跟进制版进度及交付安排。

　　工程批流片：运营部根据项目负责人的内部订单安排晶圆代工厂进行工程批流片，流片完成后，测试人员根据评审的测试方案进行CP测试，项目负责人根据项目需求，安排封装需求至运营部，由运营部负责安排封测代工厂进行封装。测试人员对封装成品进行参数测试评价验证。

　　以上内容完成之后，项目组提交《工程批总结报告》，由项目负责人组织工程批总结会议，确定下一步实验方案或改版方案。如改版方案确定后，由线路设计人员和版图设计人员分别安排改版，并重新进行制版流片。

　　工程批送样验证：工程批流片、封装、成测达到设计的预定目标后，由销售部负责送样给客户验证，研发部项目负责人跟踪客户的验证结果，综合所有验证结果，编制《设计开发验证报告》。

　　试生产验证：产品工程批验证通过后，研发部安排三批量试生产验证，试生产验证通过后，提交《试生产总结报告》并组织试生产总结会议。

　　谢谢!

　　问 投资者：公司的未来发展战略是什么?如何应对行业变化和市场挑战?

　　答 锴威特丁国华：

　　公司将继续坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，助力高性能功率器件、功率IC的国产化替代以及自主可控，打造成为高品质功率器件及智能功率IC的优秀供应商，为客户提供完整的功率电源和电机驱动的芯片解决方案。未来，公司将持续投入人财物进行研发创新、建设升级功率半导体研发工程中心、打造功率半导体器件测试及可靠性考核平台，深度拓展前沿技术应用、推动产品技术高效升级与产业化进程。

　　问 投资者：您好，请简要谈谈公司的功率IC产品?

　　答 锴威特丁国华：

　　功率IC是半导体芯片中模拟芯片的典型代表，可实现功率(电压、电流、频率)的变换控制与调节，为后续电子元器件提供相应的功率供应和管控要求。

　　公司拥有深厚的功率IC设计、研发经验。公司基于晶圆代工厂0.5um 600V SOI BCD和0.18um 40V BCD等工艺自主搭建了设计平台;公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成80余款功率IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证。公司的功率IC产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC等，具有集成度高、可靠性高、工作频率高、工作电压范围宽、功耗低、工作温度范围宽(-55℃-125℃)等特点。

　　公司PWM控制IC主要为隔离式开关电源芯片，主要功能是将输入电压的振幅转换成宽度一定的脉冲，用于驱动外部功率器件开关，使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定。公司产品涵盖反激、反激双路交错、正激有源钳位、推挽、半桥、全桥、移相全桥等多拓扑配置，帮助客户灵活创建各种电源设计;同时集成了欠压、过压、过流、过热等多种保护功能，确保系统安全稳定工作，能够为客户提供隔离式开关电源系列化的解决方案。

　　公司栅极驱动IC主要为电机驱动IC，其能够将电机控制器/MCU输出的低压控制信号转换成驱动功率器件的高压驱动信号，来驱动功率器件进行开关动作，从而驱动电机工作，集成了高侧和低侧驱动器，可降低开关损耗，适应嘈杂的环境并提高系统效率。公司的驱动IC产品包含单相半桥、全桥、三相全桥产品系列，可满足多种场景的应用要求。

　　谢谢!

　　问 投资者：您好，请您谈谈公司的平面MOSFET产品?

　　答 锴威特丁国华：

　　公司的功率MOSFET产品专注于平面技术路线，采用纵向垂直结构，结合自主研发的新型复合终端结构及实现工艺技术，一方面可使终端表面的电场分布更加均匀，可有效降低终端Si-SiO2界面态以及可动离子的影响;另一方面可缩小终端尺寸，有效地减小芯片面积。通过与钝化层的合理配合，公司的平面MOSFET产品有效降低了高温漏电及持续开关动作后击穿电压的跌落，拥有突出的高温可靠性。公司的平面MOSFET产品覆盖40V-1500V电压段，已形成较为齐全的产品系列，拥有近500款不同规格的产品。

　　常规平面MOSFET的体二极管的反向恢复性能和快恢复二极管及肖特基二极管相比，其反向恢复速度较低，反向恢复特性较差。如将其应用在电机控制系统以及半桥、全桥和LLC的电源系统中，会导致开关损耗增加，降低系统的效率，同时，也会产生较高的振铃，影响功率MOSFET的安全工作。为了减小反向恢复导致的开关损耗，常规做法是在平面MOSFET上并联一颗FRED(超快恢复二极管)，但由于FRED和MOSFET寄生体二极管并联，存在竞争，仍会有部分电流流过寄生体二极管，为避免这种情况，功率部分的设计和控制都会变得复杂。针对上述情况，公司在平面MOSFET工艺平台的基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。该类产品具有低反向恢复电荷、反向恢复时间短的特性，形成近60款不同规格产品。

　　谢谢!

　　问 投资者：您好，请您介绍下公司的技术服务?

　　答 锴威特丁国华：

　　公司在开发产品的同时，利用长期积累的设计经验和工艺开发能力，为客户提供芯片设计及工艺开发等技术服务，公司技术服务主要覆盖高可靠领域客户，包括产品开发和工艺开发流片两类。

　　产品开发：在该类技术服务过程中，由客户定义产品的功能和参数指标，委托公司对该产品进行设计开发，后续公司根据客户的具体需求，可以为客户提供制版、流片和测试验证等技术服务工作。

　　工艺开发流片：客户基于晶圆厂已有工艺平台，需要开发新的器件或者其他工艺升级要求。在工艺开发流片的服务过程中，由公司负责新器件工艺开发或为客户提供其指定需求的工艺服务。后续由客户基于公司提供的工艺服务自行设计产品，并委托公司进行制版、流片的服务。而产品的测试验证等工作由客户自行负责。

　　谢谢!

　　问 投资者：您好，请您谈谈针对未来发展，公司制定的具体规划是怎样的?

　　答 锴威特丁国华：

　　1、功率器件方面

　　公司将优化细分产品领域，扩大在高可靠领域和工业控制领域的销售规模，并提升总体收入规模和市场占有率;在SiC产品方面，加大产品系列布局和实现规模化销售。公司力争成为具有自主品牌影响力、规模稳定增长、技术专精、产品结构合理的高品质功率器件半导体供应商。

　　2、功率IC方面

　　公司将拓展PWM控制IC和栅极驱动IC产品的客户范围和细分应用领域;深挖高可靠领域和工业级客户的市场潜力，以实现更多功率IC产品的国产化替代和自主可控，并不断扩大经营规模。实现作为专注于高可靠领域和工艺控制领域的智能功率IC优秀供应商的发展战略。

　　3、技术服务方面

　　公司将在为客户提供更多的技术服务的同时，持续增强公司定义自主产品的能力。助力公司实现功率半导体产品和技术服务协同发展的战略，从而成为更多客户的首选供应商。

　　4、其他产品方面

　　公司将扩大IPM、光继电器(Photo MOS)等产品的收入规模，形成新的利润来源。

　　谢谢!

　　问 投资者：您好，可以谈谈公司近几年为实现战略目标已采取的措施及实施效果?

　　答 锴威特丁国华：

　　公司始终围绕发展目标进行研发、运营和销售战略部署。公司获得了甘化科工和禾望电气等产业股东的投资，打下了高端市场的基础，同时进一步增强了资金实力。

　　2020年至2022年，研发费用分别为1,388.55万元、1,886.27万元和2,271.95万元，近三个完整年度的复合增长率为27.91%。公司注重内部人才的培养与外部人才的引进，与高校合作，建立在职读博的培养体系，通过业务培训、技术研讨等方式不断完善人才培养体系，加强人才梯队建设。公司积极引进公司研发所需的优秀人才;公司研发人员数量由2020年初的25人增加至2022年末的40人。上述举措使得公司能够不断保持人才活力，吸收前沿技术动态，保障技术创新。

　　公司布局的平面MOSFET(包含FRMOS)等功率器件产品已实现了产业化;同时，公司开发的多款功率IC产品已被多家高可靠领域客户采用，成功实现了该领域芯片的国产化替代;此外，公司初步实现了SiC功率器件的市场布局。

　　在整合代工资源方面，公司在现有代工合作方的基础上，积极寻求新的代工资源和探索新的合作模式，如自购设备投入生产线以锁定和扩大产能供给，保证了晶圆的产能供给和新品开发的产业化落地。

　　2019年，公司成立了深圳分公司，销售体系逐步完善，销售布局进一步增强，建立了与经销商的互利共赢关系，自主品牌的成品销售规模稳步增长。在消费电子、工业控制和高可靠领域等终端领域形成了一定的品牌影响力。

　　谢谢!

　　问 投资者：您好，请您介绍下公司智能功率半导体研发升级项目的基本情况?

　　答 华泰联合薛峰：

　　智能功率半导体研发升级项目主要涉及公司的主营产品功率器件、功率IC、IPM、光继电器(Photo MOS)等系列产品的技术升级、工艺制程优化及部分新品类的研发及规模化量产。其中，功率器件主要包括高可靠性高压平面MOSFET(包括FRMOS)、新一代超结MOSFET(SJMOS-FD)、40V-200V屏蔽栅MOSFET产品;功率IC包括高压高速栅极驱动IC等产品。

　　该项目实施旨在继续加强公司在功率半导体产品的技术积淀，保持在功率器件、功率IC、IPM、光继电器(Photo MOS)产品的领先优势，挖掘高性能智能功率半导体的发展潜力，打造全系列产品的技术创新平台，致力于成为市场一流的高性能、智能化功率半导体供应商。

　　谢谢!

　　问 投资者：您好，请您介绍下公司功率半导体研发工程中心升级项目的可行性与公司现有主要业务、核心技术之间的关系?

　　答 华泰联合牟晶：

　　功率半导体研发工程中心升级项目将对功率器件和模块封装可靠性、SiC高温封装、应用、基于SiC MOSFET制作光继电器(Photo MOS)以及数字电源进行持续深入研究。公司拥有相应的可靠性考核设备和可靠性研究团队，拥有完整的MOSFET的技术平台，可为光继电器匹配适合SiC MOS，拥有光电发生器的研究基础。该项目基于公司现有技术进行了前瞻性布局，有利于提升公司的技术创新能力，进一步丰富技术储备。项目的实施一方面可以推动公司现有产品的优化升级，提升公司产品附加值;另一方面可以推动研发成果的成功转化，有助于丰富公司的产品种类，开拓新的产品应用领域，增强公司的盈利能力。此外，在器件可靠性考核与测试应用能力方面，随着可靠性实验室及测试应用中心的建设，公司通过购置先进的测试设备，有利于完备公司可靠性考核能力，有助于提高产品良率，提升出厂产品的质量，更好的满足和服务于工业级及高可靠领域客户对产品品质的需求，同时，也使得公司具备完善的测试评价平台，并能够有效制作产品应用方案，指导客户更好的使用公司产品，从而有利于产品的市场推广。

　　谢谢!

　　问 投资者：您好，请您介绍下公司SiC功率器件研发升级项目的可行性与公司现有主要业务、核心技术之间的关系?

　　答 华泰联合薛峰：

　　公司在深耕功率器件、功率IC产品的基础上，积极布局第三代半导体研发，公司已完成了SiC功率器件设计平台、测试验证平台建设，在SiC功率器件的关键器件工艺、SiC MOSFET低缺陷密度栅氧工艺、SiC功率器件结构设计和高压终端技术等方面积累了较多的经验。

　　在SiC功率器件研发升级项目拟推出的新产品中，SiC功率器件具体包括650V-1700V SiC MOSFET产品系列、650V-1700V SiC SBD产品系列和650V-1200V SiC SKMOS(集成SBD的SiC MOSFET)产品系列;SiC模块具体包括基于SiC SKMOS的功率模块和基于SiC SKMOS的IPM智能功率模块。

　　650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD是基于公司4寸SiC晶圆技术而升级至6寸SiC晶圆技术，采用先进的制程技术及设备，结合芯片设计的优化实现芯片的功率密度进一步提升;650V-1200V SiC SKMOS(集成SBD的SiC MOSFET)是在公司已有的SiC MOS和SiC SBD工艺技术的基础上进行研制;SiC SKMOS的功率模块是在公司已有的SKMOS工艺和设计基础上结合积累的功率模块设计经验进行研制;SiC SKMOS的IPM智能功率模块是利用公司已有的栅极驱动IC，结合开发的SKMOS进行研制。

　　公司将把握国产化替代机遇，通过该项目的成果转化，推进新研发的高性能SiC功率器件的量产进程。近三年来，公司已掌握了SiC功率器件核心技术，完成了代表产品的研制，并已初步实现了市场布局，产品已得到高可靠领域客户的认证和采购。项目实施不改变公司主营业务，是公司原有业务的延展和深化，项目实施具有可行性。

　　该研发项目是在公司已掌握的核心技术及积累的设计及工艺开发经验基础上进行的进一步开发。

　　谢谢!

　　问 投资者：您好，请您谈谈公司补充营运资金项目的情况与可行性?

　　答 华泰联合牟晶：

　　公司综合考虑了行业发展趋势、自身经营特点、财务状况以及业务发展规划等，拟使用本次公开发行募集资金13,000.00万元用于补充营运资金。

　　公司所属的芯片设计行业具有人才密集、资金密集等特点，除本次募投项目外，公司需要不断进行新技术的探索、原有技术的升级和产品持续优化来提升市场竞争力。同时，公司在第三代半导体技术研发的布局也需要大量的资金及人力的支持，因此，在研发方面投入较大。

　　随着公司经营规模的持续扩大和对新市场、新领域的不断开拓，公司营运资金需求将不断增加。本次募投项目使用募集资金补充营运资金将对公司的持续发展提供资金支持，也可用于归还银行借款等有息负债，优化资本结构，增强公司抗风险能力。

　　此外，公司是典型的知识密集型企业，优秀人才是公司发展的坚实基础，是公司赖以生存的核心竞争力。充足的营运资金将有助于公司保留和吸引优秀人才，实现持续发展和保持竞争力。

　　谢谢!

　　问 投资者：请问募集资金对公司主营业务发展的贡献、未来经营战略影响是什么?

　　答 华泰联合薛峰：

　　公司本次募集资金投资项目是在公司现有业务、设计及工艺技术积累的基础上进行的新品研发、技术创新升级、完备和提升测试考核能力，本次投资项目的实施有助于提升公司的技术创新水平，增强公司的技术研发能力，扩充公司的产品品类，提升产品的质量及测试考核能力，进一步巩固及提升公司在功率半导体的市场地位，扩大在工业控制和高可靠领域收入规模，增强公司的综合竞争力，这将有利于支撑公司的主营业务发展，有利于实现公司的未来经营战略。

　　谢谢!

网上路演结束致辞

　　锴威特董事、总经理罗寅网上路演结束致辞

　　各位投资者：

　　大家好!

　　苏州锴威特半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的网上路演活动即将步入尾声。在此，我谨代表锴威特全体员工，感谢大家对本次发行的热情关注和踊跃提问。同时也十分感谢上证路演中心、上海证券报和中国证券网为我们提供良好的沟通平台和优质的服务。另外，我还要感谢华泰联合证券有限责任公司，以及所有中介机构为公司发行上市所做出的努力，谢谢大家!

　　通过今天的网上路演活动，我们对锴威特的主营业务、经营业绩、竞争优势、募投项目和发展战略等作了总体介绍，希望能够帮助大家更加深入地了解公司的投资价值。在刚才的网上交流过程中，各位投资者提出了许多中肯且有价值的意见和建议，我们深深地感受到大家对锴威特的关心、支持和肯定，也真诚地希望大家今后继续通过各种方式与我们保持密切的沟通联系。

　　我们深刻体会到作为一家公众公司所承担的重大使命和责任，锴威特将以首发上市为契机，严格按照相关法律法规的要求，及时准确地做好信息披露工作，并保证信息披露真实完整;充分把握市场机遇，以更加优良的业绩回报股东，回报投资者，回报社会。

　　最后，希望我们携手共进，创造和分享属于锴威特更加美好的未来!谢谢大家!