中国上市公司网讯 11月9日，东芯半导体股份有限公司(以下简称“东芯股份”或公司)科创板IPO注册获证监会同意，公司将刊登招股资料，启动发行工作。公司首次公开发行A股不超过11,056.2440万股，将登陆上交所科创板上市。

　　东芯股份聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，是中国大陆少数可以同时提供 NAND、NOR、DRAM 等存储芯片完整解决方案的公司，并能为优质客户提供芯片定制开发服务。凭借强大的研发设计能力和自主清晰的知识产权，公司搭建了稳定可靠的供应链体系，设计研发的 24nm NAND、48nm NOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程，已达到可量产水平，实现了国内闪存芯片的技术突破。

　　东芯股份本次募集资金投资额75,000.00万元，主要用于 1xnm 闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目、研发中心建设项目、补充流动资金项目。

　　东芯股份表示，公司以“提供可靠高效的存储产品及设计方案”为使命，以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，聚焦于存储芯片领域，为客户提供系列化的存储芯片产品与技术支持服务。未来公司将围绕自身的核心优势，结合内外部资源，以自主创新为驱动，不断提升核心技术，打造从多品类通用型向特色型产品延伸的发展路径，提升公司综合竞争力，矢志成为领先的存储芯片设计公司，服务全球客户。